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鼎陽(yáng)科技發(fā)布20GHz高帶寬數(shù)字示波器,突破自身示波器瓶頸!
2025年12月22日,鼎陽(yáng)科技正式發(fā)布SDS8204A高帶寬數(shù)字示波器,在SDS8000A系列原有16 GHz,12 bit高分辨率型號(hào)基礎(chǔ)上,再一次突破其公司示波器帶寬瓶頸,新增20 GHz,8 bit高帶寬型號(hào),進(jìn)一步完善了SDS8000A系列的產(chǎn)品布局。SDS8204A模擬帶寬可達(dá)20 GHz,每通道實(shí)時(shí)采樣率高達(dá)50 GSa/s,存儲(chǔ)深度最大...
2025-12-22
鼎陽(yáng)科技
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解決 Qt 應(yīng)用啟動(dòng)阻塞問(wèn)題:systemd 服務(wù)配置全解析
本文將圍繞 “快速自啟動(dòng) Qt 應(yīng)用” 這一實(shí)際需求,以 systemd 服務(wù)配置文件為核心載體,拆解 Unit、Service、Install 三大單元的關(guān)鍵屬性及配置邏輯。解析各屬性的作用、適用場(chǎng)景及避坑要點(diǎn),旨在幫助讀者理解如何通過(guò)合理配置 systemd 服務(wù),實(shí)現(xiàn) Qt 應(yīng)用的高效、穩(wěn)定自啟動(dòng),同時(shí)凸顯 systemd 相較...
2025-12-21
systemd 服務(wù)配置 Qt 應(yīng)用自啟動(dòng) 通信網(wǎng)絡(luò)
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嘉立創(chuàng)ECAD軟件上線,構(gòu)筑國(guó)產(chǎn)工業(yè)軟件新底座
嘉立創(chuàng)正式推出 ECAD 電氣設(shè)計(jì)軟件,標(biāo)志著其產(chǎn)業(yè)布局從 EDA 延伸至電氣自動(dòng)化領(lǐng)域,一站式產(chǎn)業(yè)互聯(lián)智造生態(tài)進(jìn)一步完善。這款承載集團(tuán)戰(zhàn)略的產(chǎn)品,憑借云端架構(gòu)、海量部件庫(kù)等核心優(yōu)勢(shì),將為全球 710 萬(wàn)工程師帶來(lái)高效設(shè)計(jì)體驗(yàn),更以全產(chǎn)業(yè)鏈制造能力為支撐,開啟 “電子 + 機(jī)械” 協(xié)同創(chuàng)新的新維度。
2025-12-21
EDA 電氣自動(dòng)化 嘉立創(chuàng)
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揭秘TSN和環(huán)形以太網(wǎng)如何保障車載音頻與控制的絕對(duì)可靠
在汽車行業(yè)智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速演進(jìn)的大背景下,車載網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)正經(jīng)歷著深刻變革。汽車制造商們紛紛發(fā)力,大力推動(dòng)車載高速以太網(wǎng)主干網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建。其中,以太網(wǎng)環(huán)形架構(gòu)、時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)(TSN)以及音頻視頻橋接(AVB)等新興技術(shù)趨勢(shì)脫穎而出,成為打造可靠時(shí)間敏感型數(shù)據(jù)傳輸體系的關(guān)鍵力量,為汽車網(wǎng)...
2025-12-19
時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò) TSN 汽車以太網(wǎng) 低延遲音頻 汽車區(qū)域架構(gòu) AVB 分布式音頻
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從分立器件到集成模塊,安森美全鏈路提升UPS功率密度與效率
UPS 技術(shù)已從初代單一應(yīng)急供電演進(jìn)為兼具電能優(yōu)化、故障防護(hù)等多元功能的核心電力設(shè)備,低能耗、高可靠性成為新時(shí)代發(fā)展方向。本文聚焦安森美在線式 UPS 方案,系統(tǒng)解析其“AC-DC-AC”核心架構(gòu),并深入闡述碳化硅(SiC)器件、IGBT 器件及功率集成模塊(PIM)等關(guān)鍵產(chǎn)品的特性與價(jià)值,展現(xiàn)功率器件技...
2025-12-19
UPS 系統(tǒng) 功率器件技術(shù)突破 安森美 EliteSiC 系列器件
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直通引腳開關(guān)實(shí)現(xiàn)通道密度與精度雙飛躍
在現(xiàn)代電子測(cè)試、半導(dǎo)體驗(yàn)證及高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,工程師們持續(xù)面臨著一個(gè)核心矛盾:如何在有限的空間內(nèi)集成更多的開關(guān)通道,同時(shí)不犧牲信號(hào)完整性、測(cè)量精度與系統(tǒng)散熱能力?傳統(tǒng)的分立開關(guān)方案已觸及 PCB 布局與熱管理的瓶頸。為此,一款采用革命性無(wú)源元件共封裝與直通引腳設(shè)計(jì)的精密開關(guān)應(yīng)運(yùn)...
2025-12-18
先進(jìn)封裝 直通引腳 開關(guān)通道密度 低導(dǎo)通電阻
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英飛凌 HYPERRAM?存儲(chǔ)芯片通過(guò) AMD 驗(yàn)證
全球半導(dǎo)體領(lǐng)域兩大領(lǐng)軍企業(yè)達(dá)成重要合作成果——英飛凌與AMD成功完成關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證,雙方聯(lián)合推出的存儲(chǔ)解決方案為嵌入式人工智能(AI)領(lǐng)域帶來(lái)突破性進(jìn)展。英飛凌64MB HYPERRAM?存儲(chǔ)芯片及配套控制器IP,在AMD Spartan? UltraScale+? FPGA SCU35評(píng)估套件上的測(cè)試表現(xiàn)優(yōu)異為邊緣嵌入式AI應(yīng)用的研發(fā)及...
2025-12-18
存儲(chǔ)芯片 AMD UltraScale FPGA 英飛凌
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10nm以下DRAM,三星DRAM技術(shù)突破存儲(chǔ)行業(yè)版圖
10納米以下節(jié)點(diǎn)的技術(shù)突破成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵門檻。三星電子與三星綜合技術(shù)院聯(lián)手,在IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術(shù),為這一領(lǐng)域帶來(lái)了歷史性突破。這項(xiàng)以非晶態(tài)銦鎵氧化物材料為核心的創(chuàng)新,不僅攻克了CoP架構(gòu)量產(chǎn)的高溫工藝難題,更以扎實(shí)的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)...
2025-12-18
三星電子 DRAM 技術(shù) 半導(dǎo)體晶體管 存儲(chǔ)技術(shù)
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2025智能戒指排名前十選購(gòu)指南:從健康監(jiān)測(cè)到穿戴的全面解析
近年來(lái),可穿戴設(shè)備市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)由“手腕”向“手指”的悄然遷移。據(jù)IDC《2025年全球可穿戴設(shè)備趨勢(shì)報(bào)告》顯示,智能戒指品類在2024年出貨量同比增長(zhǎng)達(dá)187%,預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)規(guī)模將突破50億美元。
2025-12-18
智能戒指
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