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瑞薩600V耐壓超結MOSFET導通電阻僅為150mΩ

文件來源:電子元件技術網
文件類型:pdf
更新時間:2012-07-11
文件大小:90K
瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。
本文鏈接:http://m.yhqp-hb.cn/cp-dl/853
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