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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關數百萬次。在開關過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導致柵極氧化物中出現雜質，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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試一試能快速實現高性價比的電路保護的eFuse
隨著電子設備在家庭、辦公室和工業中的普及，對高速、緊湊、低成本、可復位和可調節電路保護器件的需求越來越重要，以確保用戶安全和最長的正常設備運行時間。傳統熔斷方法的熔斷電流不準確、響應時間慢，而且通常保險絲更換不方便。
2023-12-14
電路保護 eFuse
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解決角雷達系統的 3 大電源設計挑戰
在過去十年內，雷達傳感技術開始逐步替代傳統的汽車傳感方式。雷達傳感技術具有多項優勢，例如可以進行遠距離檢測，具有更高的分辨率和精度。因此，雷達傳感技術被廣泛應用于駕駛安全功能、自動駕駛和高級駕駛輔助系統。
2023-12-13
角雷達系統
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超聲技術在醫療領域的發展趨勢和應用
超聲波（Ultrasound）是指頻率高于兩萬赫茲的聲波，在工業、醫療等領域均有具體應用。隨著醫療技術的進步和設備的不斷更新，超聲已經成為醫學領域不可或缺的應用技術。醫學超聲設備主要利用超聲波對于人體不同部位反饋產生的信號或能量屬性，對于人體的異常狀態或疾病進行診斷或治療。
2023-12-13
超聲技術 醫療領域
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意法半導體推出車規人工智能慣性測量單元，適合環境溫度高達125°C的始終感知應用
意法半導體的車規ASM330LHHXG1慣性測量單元(IMU)整合傳感器內部人工智能與改進的低功耗工作模式，并將最高工作溫度擴展到125°C，確保傳感器能夠在惡劣環境中可靠地工作。
2023-12-13
意法半導體 人工智能 慣性測量單元 感知應用
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使用SIL 2器件設計功能安全的SIL 3模擬輸出模塊
需要安全完整性等級(SIL) 3解決方案的制造商，在使用SIL 2器件時面臨著多項挑戰。隨著工業功能安全標準IEC 61508第3版的發布，制造商必須采用新的方法。本文概述了一種能夠克服挑戰以成功實現SIL 3并加速產品上市的解決方案。
2023-12-12
SIL 2 器件設計 SIL 3 ADI 模擬輸出模塊
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MOS管G極與S極之間的電阻作用
MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。
2023-12-11
MOS管 G極 S極
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進入當打之年，憑借性能、壽命、容量和價格極致性價比的特性，配合主控和固件糾錯能力和算法方案的日漸成熟，進入到消費級SSD和企業級SSD主戰場，如今市面上有多款已量產的消費級和企業級QLC SSD，進入商用。
2023-12-11
QLC NAND
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半導體產業如何善用AI驅動自動化創新？
人工智能(AI) 正在改變世界，并在許多方面改善我們的生活。半導體產業在AI變革中扮演著關鍵角色，因為它不只提供AI應用所需的強大運算芯片，還使用AI來增強其企業內部的運營與管理、客戶服務、辦公流程、系統/產品/電路設計以及制造。在這篇文章中，我們將重點介紹AI如何協助制造自動化。
2023-12-08
半導體 AI驅動
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