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涂鴉智能的“AI積木”：如何讓傳統(tǒng)玩具學(xué)會思考與共情？
上海一家玩具公司的產(chǎn)品經(jīng)理李薇,面對團(tuán)隊耗時半年研發(fā)卻市場反響平平的智能故事機(jī),最終通過涂鴉智能的模塊化方案,在三個月內(nèi)推出了一款能識別兒童情緒并自主編排互動劇本的AI玩偶,預(yù)售首日銷量突破五千臺。
2026-02-09
涂鴉智能
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兆芯協(xié)同聯(lián)想開天，P9z G1t雙路工作站筑牢信創(chuàng)專業(yè)應(yīng)用硬件根基
隨著信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)向深度應(yīng)用升級，專業(yè)場景對自主可控、高性能計算硬件需求迫切。作為兆芯核心產(chǎn)業(yè)伙伴，聯(lián)想開天依托其處理器平臺，構(gòu)建了多元產(chǎn)品矩陣，并推出P9z G1t信創(chuàng)旗艦雙路工作站。該工作站搭載雙路開勝KH-40000/12處理器（24核2.5GHz），擁有1TB最大內(nèi)存、9盤位存儲，搭配47L全擴(kuò)展機(jī)箱與6個P...
2026-01-29
聯(lián)想開天P9z G1t 兆芯 處理器
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智能GaN降壓控制器設(shè)計——第2部分：配置和優(yōu)化
在高效能電源設(shè)計中，死區(qū)時間的精準(zhǔn)控制是平衡效率與可靠性的關(guān)鍵。傳統(tǒng)方案依賴固定的控制器延遲或繁瑣的外部調(diào)整，不僅調(diào)試耗時，更難以適配不同GaN FET的動態(tài)特性，潛藏著過驅(qū)損壞的風(fēng)險。本文將深入智能GaN降壓控制器設(shè)計的核心環(huán)節(jié)，聚焦于其先進(jìn)的配置與優(yōu)化策略。通過闡述如何精確測量并協(xié)...
2026-01-28
智能GaN降壓控制器 死區(qū)時間 GaN FET 驅(qū)動 電源設(shè)計 氮化鎵
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線性穩(wěn)壓器的電壓輸入至輸出控制——第一部分：快速入門和優(yōu)勢
在復(fù)雜的電子系統(tǒng)設(shè)計中，電源管理單元的效能與可靠性直接決定了整體性能的邊界。其中，實現(xiàn)從輸入電壓到輸出電壓的精準(zhǔn)、高效與穩(wěn)定控制，是工程師面臨的核心挑戰(zhàn)之一。本文將聚焦于一種先進(jìn)的解決方案——電壓輸入至輸出控制（VIOC）系統(tǒng)。該系統(tǒng)巧妙融合了具備VIOC特性的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）與...
2026-01-28
線性穩(wěn)壓器 電壓輸入 輸出控制 VIOC LDO 穩(wěn)壓器 電源管理系統(tǒng)
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智能GaN降壓控制器設(shè)計——第1部分：考慮因素和測量方法
同步轉(zhuǎn)換器的工作原理是交替切換控制開關(guān)和同步開關(guān)器件（通常是FET）的通斷狀態(tài)。時序的微小偏差，在納秒尺度上便會引發(fā)兩難困境：若兩個開關(guān)管導(dǎo)通切換的間隙（死區(qū)時間）過長，系統(tǒng)效率會因GaN器件特有的高反向?qū)▔簱p而大幅下降；若此間隙過短，則可能發(fā)生致命的“直通”現(xiàn)象，導(dǎo)致電流直沖、器...
2026-01-28
智能GaN降壓控制器 自適應(yīng)死區(qū)時間控制 GaN FET驅(qū)動 同步降壓轉(zhuǎn)換器 AI服務(wù)器供電
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從IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技術(shù)的創(chuàng)新與突破
ONFI作為閃存控制器與NAND顆粒的關(guān)鍵接口協(xié)議，其技術(shù)水平直接決定存儲系統(tǒng)競爭力。奎芯科技深耕ONFI IP領(lǐng)域，以領(lǐng)先技術(shù)規(guī)格、全場景工藝覆蓋及Chiplet架構(gòu)戰(zhàn)略布局構(gòu)建核心優(yōu)勢，下文將圍繞其價值、技術(shù)亮點、生態(tài)能力及戰(zhàn)略規(guī)劃，展現(xiàn)奎芯在高速存儲接口領(lǐng)域的硬核實力，為多領(lǐng)域應(yīng)用提供核心支撐。
2026-01-27
奎芯科技 存儲接口 存算一體 SSD SoC
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算力與實時性雙突破！兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32H7系列MCU，覆蓋更廣泛高性能應(yīng)用
在工業(yè)自動化、數(shù)字能源及高端智能設(shè)備對實時控制與強(qiáng)大算力需求日益增長的背景下，國內(nèi)MCU領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新（GigaDevice）宣布推出其新一代高性能微控制器產(chǎn)品線——GD32H7系列。該系列基于Arm? Cortex?-M7內(nèi)核，主頻提升至750MHz，并創(chuàng)新性地配備了640KB可與CPU同頻運行的緊耦合內(nèi)存，旨在突破傳統(tǒng)M...
2026-01-23
兆易創(chuàng)新 GD32H7 MCU 微控制器 便攜電子 智能家居
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一文讀懂基于ADI方案的2型充電樁IC-CPD開發(fā)指南
在設(shè)計與開發(fā)符合國際規(guī)范的2型交流充電樁（EVSE）時，工程師不僅需要深入理解IEC 61851-1與IEC 62752等核心標(biāo)準(zhǔn)，更面臨著如何高效實現(xiàn)車輛連接、安全控制與可靠通信的工程挑戰(zhàn)。本文將以ADI（亞德諾半導(dǎo)體）提供的最新參考設(shè)計為實踐藍(lán)圖，系統(tǒng)闡述充電樁內(nèi)部線纜控制與保護(hù)器件（IC-CPD）的軟硬...
2026-01-23
IC-CPD設(shè)計 線纜內(nèi)置控制 保護(hù)器件 軟硬件 充電狀態(tài) 電動汽車供電設(shè)備
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特瑞仕半導(dǎo)體株式會社發(fā)布耐浪涌電流強(qiáng)的肖特基勢壘二極管
特瑞仕半導(dǎo)體株式會社（東京都東京都江東區(qū)，代表董事：木村岳史，以下簡稱特瑞仕）開發(fā)了具備優(yōu)異耐浪涌電流與浪涌沖擊能力的 650V SiC 肖特基勢壘二極管 “XBSC41 / XBSC42 / XBSC43 系列”。
2026-01-22
特瑞仕半導(dǎo)體株式會社
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