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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的S...
2023-07-19
碳化硅 發(fā)展趨勢 儲能系統(tǒng)
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設(shè)置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時間 理想值
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...
2023-07-18
工作原理 IGBT
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為什么這種USB充電器可以又快又小？
用于鋰離子和鋰聚合物電池的通用電池充電器與用于隨身充電 (OTG) 的 USB 3.0 供電 (PD) 技術(shù)一起使用的應(yīng)用越來越廣泛，包括無人機、智能手機、平板電腦、無繩吸塵器、便攜式醫(yī)療設(shè)備、無線揚聲器和電子收銀機設(shè)備。在這些應(yīng)用中，一直要求設(shè)計者減少充電時間和外形尺寸，提高功率密度，并降低成本。
2023-07-17
USB 充電器 FRS
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計算DC-DC補償網(wǎng)絡(luò)的分步過程
本文旨在幫助設(shè)計人員了解DC-DC補償?shù)墓ぷ髟怼⒀a償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計算即可驗證補償網(wǎng)絡(luò)值。
2023-07-17
DC-DC 補償網(wǎng)絡(luò) 計算過程
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淺析汽車空氣懸架系統(tǒng)中的電機驅(qū)動應(yīng)用
汽車懸架系統(tǒng)可以調(diào)節(jié)車身的高度、阻尼、剛度，有效提升駕駛的舒適性與操控性，從而讓駕駛者在不同的車速、路面條件下有不同的駕駛感受，提高車輛的平順性和品質(zhì)感。
2023-07-14
汽車 空氣懸架 電機驅(qū)動
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按摩椅中的有刷電機驅(qū)動
近年來，隨著人們健康意識的增強，亞健康、中國老年、商旅辦公等人群的擴大，以及智能化按摩椅產(chǎn)品的不斷更新升級，具有良好按摩保健功效的按摩椅正逐步獲得廣大消費者的認(rèn)可。從電機的種類上來看，有刷電機因其簡單的控制方式和優(yōu)良的轉(zhuǎn)矩控制特性，在調(diào)速領(lǐng)域一直占有主導(dǎo)地位。為了提高功率，按...
2023-07-14
按摩椅 有刷電機驅(qū)動
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電池管理系統(tǒng)有助于優(yōu)化電動汽車性能嗎
倒計時已經(jīng)開始：自動駕駛、電動、互聯(lián)汽車將在未來幾年徹底改變整個汽車行業(yè)——這一變化遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了網(wǎng)絡(luò)訪問或方向盤和踏板的消失。自動駕駛聯(lián)網(wǎng)汽車將帶我們進(jìn)入一個更高效、更經(jīng)濟(jì)、更清潔、更環(huán)保的新交通時代，鋰離子（Li-ion）電池和電池管理系統(tǒng)將成為電動汽車（e-mobility）的關(guān)鍵。
2023-07-13
電池管理系統(tǒng) 電動汽車
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件...
2023-07-13
安森美 SiC MOSFET 靜態(tài)特性
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